Toshiba针对继电器驱动器推出新款小型双通道MOSFET SSM6N357R

 2018-06-20

 

东芝电子元件及储存装置株式会社宣布推出小型双通道MOSFET SSM6N357R，此款新产品在漏极(Drain)和闸极端子(Gate terminals)之间有内建二极管(Diode)。此IC适用于驱动机械继电器(Mechanical relays)等电感负载。量产出货即日启动。

SSM6N357R整合下拉电阻器(pull-down resistor)、串联电阻器和稳压二极管(Zener diode)，助于减少零件数量并节省PCB板空间。另外，此IC采用双通道式封装（2 in 1），与采用两个SSM3K357R (2.4 x 2.9 x 0.8 mm)单通道式封装产品的替代方案相比，其安装面积减小42%。

SSM6N357R采用业界标准的TSOP6F等级封装，具备3.0V的低工作电压并且通过了AEC-Q101认证，适合车用及许多其他应用。

 

应用方面

-         车用继电器和螺线管控制(Solenoid control)

-         工业应用继电器和螺线管控制(Solenoid control)

-         办公设备离合器控制(Clutch control)

 

产品特点

-             可节省PCB空间且减少零件数量(实现下拉电阻器，串联电阻器和稳压器二极管的整合)

-             3.0V低工作电压

-             双通道式封装(2 in 1)

-             通过AEC-Q101认证

 

主要规格

项目

特性

绝对最大额定值

漏源极电压
VDSS (V)

60

闸源极电压
VGSS (V)

±12

漏极电流
ID (A)

0.65

电器特性

漏源极导通电组
RDS(ON) max (mΩ)

|VGS|=3.0V

2400

|VGS|=5.0V

1800

闸极总电荷
Qg typ. (nC)

1.5

输入电容
Ciss typ. (pF)

43

封装

TSOP6F

2.9mm×2.8mm;
t=0.8mm

 

Equivalent Circuits